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发光二极管结构及其制造方法

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申请日: 2012.06.15
专利号: 201210201249X
授权日: 2013.11.06
专利权人: 奇力光电科技股份有限公司
合作方式:
行业分类: 电子信息
关键词:
交易方式: 线下
 
 
专利介绍     联系方式

权属人所属领地:中国台湾台南市

代理机构:北京市柳沈律师事务所

功能描述:

  本发明公开一种发光二极管结构及其制造方法。此发光二极管结构包含一绝缘基板、多个发光二极管芯片以及多个内连线层。每一发光二极管芯片包含依序堆叠在绝缘基板的表面上一第一电性半导体层、一有源层以及一第二电性半导体层。每一发光二极管芯片包含邻接的一平台结构与一第一电性半导体层暴露部分、以及一第一隔离沟槽。第一隔离沟槽设于平台结构中。内连线层分别连接发光二极管芯片的相邻二者。

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