【技术概述】本技术采用中频感应方式加热,铱坩埚盛料兼作发热体,氧化锆为保温材料。为抑制Ga2O3组分挥发,以氮气和氧气的混合气体为保护气氛。针对晶体生长易开裂情况,采用数值仿真与实验相结合的方式来实现温场设计,优化温场结构,控制固液交界面温度梯度至合适范围内。电子称上称重方法控制晶体生长。
【主要技术指标】(1)晶体尺寸:dia.75mm×100mm, dia.60mm×150mm,
(2)光输出:≥50000光子/MeV
(3)衰减时间:≤100ns
(4)头尾发光均匀性:≥85%
(5)能量分辨率:≤6%@662keV
【先进程度】国际先进 国内独家
【技术状态】小批量生产、工程应用阶段
【适用范围】核医疗、工业CT、安检、环境监测等领域
【获奖情况】无。
【专利状态】申请发明专利1项。
【合作方式】技术转让 许可使用 合作开发
【预期效益】目前,世界上用量最大的无机闪烁晶体有NaI(Tl)、CsI(Tl)、CdWO4和Ce:LYSO晶体。相比之下,Ce:GAGG晶体的光产额和本征辐射强度与NaI(Tl)、CsI(Tl)晶体相当,在衰减时间、密度和能量分辨率方面更优,特别是Ce:GAGG晶体无吸湿特性,在使用时无需封装;而与Ce:LYSO晶体相比,Ce:GAGG晶体除了衰减时间更长以外,其光产额、能量分辨率、本征辐射强度和生产成本等方面拥有更大优势。
随着Ce:GAGG晶体在动物PET、环境监测、食品检测、X射线CT等领域的逐步推广,其全球市场规模将超十亿美元。
【联系方式】丁雨憧 023-65861511/15922535057