点击图片查看原图【技术概述】SC007X为分立器件芯片，内部只有1个单管器件。在器件结构上主要分为两部分：即元胞+终端。芯片内部由元胞阵列构成，在元胞区域的外围有终端场板结构，源和栅电极位于芯片正面，而漏极位于芯片背面。为了满足器件的参数要求，无胞的制造采用Trench MOSFET工艺加工，工艺特征尺寸为0.3µm。终端采用场限环加场板的技术。产品工作原理如下：当栅源电压VGS的绝对值大于器件的阈值电压VT的绝对值时，在栅极附近的N区形成强反型层即为P型沟道，在漏源电压VDS的作用下P+源区的电子通过反型层沟道，经由高阻漂移区至衬底漏极形成漏源电流。当VGS的绝对值小于阈值电压VT的绝对值，栅极下面不能形成反型层沟道，漏源之间是由反偏PN结所组成，由于漂移区的浓度较低则耗尽层主要向漂移区一侧扩展，这样就可以维持较高的击穿电压。作为功率器件，为实现大电流化，需在缩短沟道的同时，增大沟道宽度，即采用单位面积多个MOSFET单元集成的结构。另外，为了实现高电压，有必要降低N型层的杂质浓度，由此而引起导通电阻的增大可以适当通过增大芯片的面积来调整。
【主要技术指标】漏源击穿电压V(BR)DS：≤-55V
栅源击穿电压V(BR)GS：≥20V
阈值电压VTH：-3V ~ -1V
导通电阻Ron：≤0.09Ω
漏源泄漏电流IDSS：≤250μA
栅漏电流IGSS：≤1μA
峰值电流IDM：≤-15A
导通延迟时间tD(on)：≤50ns
关断延迟时间tD(off)：≤100ns
上升时间tr：≤50ns
下降时间tf：≤100ns
【先进程度】国内领先
【技术状态】批量生产、成熟应用阶段
【适用范围】雷达、TR组件、功率转换等领域。
【获奖情况】无。
【专利状态】无。
【合作方式】合作开发
【预期效益】本产品可用于功率转换的驱动电路中，预计年需求量百万只，给本单位和合作单位带来新的增长点，对经济和产业结构调整具有积极的意义，对促进人员就业、社会稳定具有重要的意义。
【联系方式】付晓君 023-65861085/13996221211
