化学沉淀PbS光电薄膜制备技术

【技术概述】Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体大多属于窄带半导体，在制造红外辐射探测器和激光器等方面占有重要地位，广泛应用的有铅的硫属化合物薄膜。硫化铅（PbS）作为Ⅳ-Ⅵ族半导体中的重要一员，利用该类多晶薄膜材料的内光电效应制成本征光电导器件。PbS 薄膜的制备主要是在一定的化学环境条件下，采用Pb2＋和S2－化学沉淀制备而成，一般为多晶薄膜结构。PbS 薄膜经一定的气氛条件下敏化，具有光电特性，根据其光电特性制备成光电器件。应用于红外制导、红外预警、红外测温、光谱分析、红外天文观测等军民两用领域。

【主要技术指标】

（1）标称电压：1.2V。　1、暗电阻（Kohm）：≥200

（2）探测率D*（cm*Hz*W-1）： ≥3*10⁸

【先进程度】国内领先

【技术状态】批量生产、成熟应用阶段

【适用范围】红外制导、红外预警、红外测温、光谱分析、红外天文观测等军民两用领域

【获奖情况】无。

【专利状态】申请发明专利3项。

【合作方式】技术转让 许可使用

【预期效益】PbS光电薄膜广泛应用于红外制导、红外预警、红外测温、光谱分析、红外天文观测等军民两用领域，具有广泛的社会效益。采用化学沉淀制备的PbS光电薄膜，以其制备工艺简单、阻值适中、响应率高、可室温工作、使用方便、价格低廉等诸多优点，具有广泛的应用市场和较高的经济效益。

【联系方式】司俊杰  18623768178