点击图片查看原图【技术概述】第二代砷化镓半导体集成电路芯片具有频率高、速度快、带宽大、抗辐射能力强等优点，产品用途十分广泛，随着智能手机普及，砷化镓半导体芯片，是3G、4G及未来5G通讯的核心芯片，也是物联网产品、电力电子、高效率能源转换及人工智能的关键芯片。
砷化镓0.15～0.25µm pHEMT工艺生产的芯片，其对应频率为0-50GHz，涵盖的产品有低噪声放大器、功率放大器、驱动放大器、开关、混频器、滤波器、耦合器、衰减器等上百种具体产品，对通讯能力都有及其重要的提升作用。
【技术指标】本制造技术能实现0.15～0.25um的GaAs pHEMT工艺技术,并具有频率高，功率大，噪声系数小、抗击穿能力强等特点。
【技术特点】砷化镓0.15～0.25µm pHEMT工艺具有线性度好、稳定度高、可靠性好的特点，该制程工艺生产的微波毫米波芯片可工作于0-50GHZ，可实现数据的高速收发。
【先进程度】国际先进
【技术状态】试生产、应用开发阶段
【适用范围】砷化镓0.15～0.25µm pHEMT工艺生产的微波毫米波芯片，可工作于0-50GHZ，用于5G移动通信的小型基地台、移动终端及物联网领域，实现数据的高速收发。同时应用于移动通讯、卫星通讯，产品应用十分广泛，由于该制造技术一直受国外抑制，是国家急需的战略性核心能力技术。
【获奖情况】成都市科技进步二等奖
【专利状态】公司在砷化镓半导体集成电路芯片领域获得专利达到20余项
【合作方式】技术服务
成都海威华芯科技有限公司致力于6英寸砷化镓微波毫米波芯片制造技术领域的国产化替代，对外提供GaAs、GaN芯片代工服务，目前已率先完成中国第一个6英寸GaAs IPD集成无源工艺、中国第一个6英寸GaAs 0.25um power pHEMT工艺、中国第一个6英寸GaN 0.25um HEMT工艺、6英寸GaAs 2 um HBT工艺、6英寸砷化镓ED HEMT工艺、6英寸砷化镓0.15um pHEMT工艺的研发，其技术同步国内先进水平。同时，海威华芯具备2～6吋光电芯片、VCSEL激光器芯片的代工能力。
【预期效益】
每年将实现销售收入17000万元，十年实现税金3750万元（半导体行业享受五免五减半）
【联系方式】李邱霞028-65796077/18140004735
