第三代半导体材料是以宽禁带为特点的一类半导体材料，包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝（AlN）等代表性材料。这一特点使得第三代半导体材料的同第一代（Si）、第二代（GaAs、InP）半导体材料相比，具备更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及更好的抗辐射能力。宏观表现出来，就是在高温、高频、高辐射剂量及大功率等传统半导体材料（尤其是SI）难以胜任的场合具有显著优势。

以最典型的SiC材料为例。SiC能够带来能够更高的光电转换效率，用于LED照明可降低40%的成本，应用于太阳能发电则可降低25%以上的转换损失。SiC还能够减少功率元件的电力损失，应用于超高压直流输电和智能电网领域可降低60%电力损失，并提高40%的供电效率；应用在家电、高铁、新能源汽车、工业电机等领域也可实现20~50%不等的节能效率。效率的提高也会带来器件体积的减少，例如用于电脑适配器就可减少80%的体积。

2014年起，美国就成立了以SiC为代表的第三代宽禁带半导体产业联盟，目前已经获得了美国各级政府的1.4亿美元的投资。日本政府则更早认识到了SiC的重大意义，将其视为未来节能战略的重要技术，并在2013年将其纳入了“首相战略”。